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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-16345-5-ND
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Cantidad disponible 576
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STW70N60DM2

Copiar   STW70N60DM2
Descripción MOSFET N-CH 600V 66A
Copiar   MOSFET N-CH 600V 66A
Plazo estándar del fabricante 30 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 66 A (Tc) 446W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos STW70N60DM2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Archivo de video STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily
Producto destacado 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS
Modelos de simulación STW70N60DM2 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ DM2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 66 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 42mOhm a 33A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 121nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5508pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 446W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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07:34:36 4/24/2019