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510 6.82000 $3,478.20
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-16341-5-ND
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Cantidad disponible 618
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STW56N60DM2

Copiar   STW56N60DM2
Descripción MOSFET N-CH 600V 50A
Copiar   MOSFET N-CH 600V 50A
Plazo estándar del fabricante 37 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 50 A (Tc) 360 W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos STW56N60DM2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Archivo de video STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily
Producto destacado 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS
Modelos de simulación STW56N60DM2 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ DM2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4100pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • 497-16343-5-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-16341-5

15:39:20 1/20/2019