STW56N60DM2 STMicroelectronics | Productos semiconductores discretos

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	497-16341-5-ND
Cantidad disponible	913 Disponible para envío inmediato
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STW56N60DM2
Descripción	MOSFET N-CH 600V 50A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante	46 semanas
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600V 50 A (Tc) 360 W (Tc) TO-247

Documentos y medios

Hojas de datos	STW56N60DM2
Módulos de capacitación sobre el producto	STMicroelectronics ST MOSFETs
Archivo de video	STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs \| Digi-Key Daily
Producto destacado	600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM2
Empaquetado	Tubo
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	90nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4100pF @ 100V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	360 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	60 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3