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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-16138-5-ND
Cantidad disponible 191
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STW50N65DM2AG

Descripción MOSFET N-CH 650V 28A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 28 A (Tc) 300 W (Tc) TO-247

Documentos y medios
Hojas de datos STW50N65DM2AG
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3200pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 87 mOhm a 19 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-16138-5

03:36:19 2/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.84000 $7.84
10 7.05400 $70.54
100 5.79980 $579.98
500 4.85926 $2,429.63
1,000 4.23225 $4,232.25

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