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500 4.41750 $2,208.75
1,000 3.84750 $3,847.50
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STW50N65DM2AG

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-16138-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante STW50N65DM2AG
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Descripción MOSFET N-CH 650V 28A
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 28 A (Tc) 300W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos STW50N65DM2AG
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3200pF @ 100V
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 87mOhm a 19A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Vgs (máx.) ±25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Número de pieza base STW50N
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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