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STW4N150 Canal N Orificio pasante 1500V 4 A (Tc) 160 W (Tc) TO-247-3
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30 6.27567 $188.27
120 5.66342 $679.61
510 4.74502 $2,419.96
1,020 4.13275 $4,215.41

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-5092-5-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STW4N150

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Descripción MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
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Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1500V 4 A (Tc) 160 W (Tc) TO-247-3

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie PowerMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 Ohm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 160 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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08:04:17 10/21/2018