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30 4.99933 $149.98
120 4.58683 $550.42
510 3.78200 $1,928.82
1,020 3.24548 $3,310.39
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15576-5-ND
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Cantidad disponible 432
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STW40N65M2

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Descripción MOSFET N-CH 650V 32A TO247
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Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 32 A (Tc) 250 W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos STW40N65M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STW40N65M2 Spice Model
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2355pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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19:52:02 11/15/2018