Agregar a favoritos
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
600 4.21343 $2,528.06
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-14293-5-ND
Copiar   497-14293-5-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

STW33N60M2

Copiar   STW33N60M2
Descripción MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
Copiar   MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
Plazo estándar del fabricante 37 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 26 A (Tc) 190 W (Tc) TO-247

Copiar   Canal N Orificio pasante 600V 26 A (Tc) 190 W (Tc) TO-247
Documentos y medios
Hojas de datos STx33N60M2
Producto destacado MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
Modelos de simulación STW33N60M2 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 13 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1781pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-14293-5
STW33N60M2-ND

13:31:31 12/18/2018