Agregar a favoritos
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.42000 $3.42
30 2.78767 $83.63
120 2.55750 $306.90
510 2.10875 $1,075.46
1,020 1.80958 $1,845.77
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15575-5-ND
Copiar   497-15575-5-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

STW28N65M2

Copiar   STW28N65M2
Descripción MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Copiar   MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 20 A (Tc) 170 W (Tc) TO-247

Copiar   Canal N Orificio pasante 650V 20 A (Tc) 170 W (Tc) TO-247
Documentos y medios
Hojas de datos STx28N65M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STW28N65M2 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1440pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • MSS2P3-M3/89A - Vishay Semiconductor Diodes Division | MSS2P3-M3/89AGICT-ND DigiKey Electronics
  • MSS2P3-M3/89A
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • DIODE SCHOTTKY 30V 2A MICROSMP
  • Precio unitario $0.40000
  • MSS2P3-M3/89AGICT-ND
  • C3M0280090D - Cree/Wolfspeed | C3M0280090D-ND DigiKey Electronics
  • C3M0280090D
  • Cree/Wolfspeed
  • MOSFET N-CH 900V 11.5A
  • Precio unitario $3.64000
  • C3M0280090D-ND
  • KBP410GTB - SMC Diode Solutions | 1655-1834-ND DigiKey Electronics
  • KBP410GTB
  • SMC Diode Solutions
  • BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBP
  • Precio unitario $0.54000
  • 1655-1834-ND
  • STW18N65M5 - STMicroelectronics | 497-13283-5-ND DigiKey Electronics
  • STW18N65M5
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N CH 650V 15A TO-247
  • Precio unitario $5.85000
  • 497-13283-5-ND
  • STFU28N65M2 - STMicroelectronics | 497-16307-5-ND DigiKey Electronics
  • STFU28N65M2
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 20A
  • Precio unitario $4.47000
  • 497-16307-5-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-15575-5

20:28:36 11/20/2018