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1 5.72000 $5.72
30 4.66400 $139.92
120 4.27875 $513.45
510 3.52802 $1,799.29
1,020 3.02750 $3,088.05
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-14292-5-ND
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Cantidad disponible 1
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STW28N60M2

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Descripción MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
Copiar   MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 24 A (Tc) 170 W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos STx28N60M2 Datasheet
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
Modelos de simulación STW28N60M2 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 37nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1370pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-14292-5
STW28N60M2-ND

16:38:58 12/10/2018