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STW11NK100Z Canal N Orificio pasante 1000V 8.3 A (Tc) 230 W (Tc) TO-247-3
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30 5.45733 $163.72
120 4.97225 $596.67
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1,020 3.39570 $3,463.61
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-3255-5-ND
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Cantidad disponible 382
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STW11NK100Z

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Descripción MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
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Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 8.3 A (Tc) 230 W (Tc) TO-247-3

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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.38 Ohm a 4.15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 162nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 230 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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04:34:11 10/18/2018