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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15044-5-ND
Cantidad disponible 780
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STU6N65M2

Descripción MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 4 A (Tc) 60 W (Tc) IPAK (TO-251)

Documentos y medios
Hojas de datos ST(F,P,U)6N65M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.35 Ohm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 226pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-15044-5

23:27:44 8/14/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.71000 $1.71
10 1.51500 $15.15
100 1.19740 $119.74
500 0.92862 $464.31
1,000 0.73313 $733.13

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