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STU6N60M2 Canal N Orificio pasante 600V 4.5 A (Tc) 60 W (Tc) I-PAK
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75 1.24267 $93.20
150 1.09633 $164.45
525 0.86642 $454.87
1,050 0.69920 $734.16
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13978-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STU6N60M2

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Descripción MOSFET N-CH 600V IPAK
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 4.5 A (Tc) 60 W (Tc) I-PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos STx6N60M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 2.25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 232pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-13978-5
STU6N60M2-ND

01:24:18 12/17/2018