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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15022-5-ND
Cantidad disponible 4
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STU2N80K5

Descripción MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 2 A (Tc) 45 W (Tc) IPAK (TO-251)

Documentos y medios
Hojas de datos STx2N80K5
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH5™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.5nC @ 10V
Vgs (máx.) 30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 105pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 Ohm a 1 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-15022-5

21:33:28 2/17/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.59000 $1.59
10 1.41200 $14.12
100 1.11570 $111.57
500 0.86526 $432.63
1,000 0.68310 $683.10

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