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STU16N65M5 Canal N Orificio pasante 650V 12 A (Tc) 90 W (Tc) I-PAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-11402-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STU16N65M5

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Descripción MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 12 A (Tc) 90 W (Tc) I-PAK

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 299 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1250pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 90 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-11402-5
STU16N65M5-ND

22:34:19 10/17/2018