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STQ2HNK60ZR-AP Canal N Orificio pasante 600V 500 mA (Tc) 3 W (Tc) TO-92-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12344-3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STQ2HNK60ZR-AP

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Descripción MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
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Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 500 mA (Tc) 3 W (Tc) TO-92-3

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Documentos y medios
Hojas de datos STx2HNK60Z(x)
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Modelos de simulación STQ2HNK60ZR-AP Spice Model
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Cinta y caja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 500 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 Ohm a 1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 280pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,000
Otros nombres 497-12344-3
STQ2HNK60ZRAP

07:35:10 11/14/2018