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STQ1HNK60R-AP Canal N Orificio pasante 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) TO-92-3
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10 0.48400 $4.84
25 0.45160 $11.29
100 0.33540 $33.54
500 0.26188 $130.94
1,000 0.21285 $212.85
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STQ1HNK60R-AP

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-15648-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante STQ1HNK60R-AP
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Descripción MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) TO-92-3

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 400mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.7V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 156pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de pieza base STQ1
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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