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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13784-1-ND
Cantidad disponible 3,799
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STQ1HN60K3-AP

Descripción MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 400 mA (Tc) 3 W (Tc) TO-92-3

Documentos y medios
Hojas de datos STQ1HN60K3-AP
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH3™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 400 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 140pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 Ohm a 600 mA, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 497-13784-1

21:25:05 2/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.90000 $0.90
10 0.78500 $7.85
100 0.60570 $60.57
500 0.44866 $224.33
1,000 0.35893 $358.93

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y caja ? : 497-13784-3-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 2,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.31581
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