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STP9NK80Z Canal N Orificio pasante 800V 7.5 A (Tc) 150 W (Tc) TO-220AB
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-5133-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP9NK80Z

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Descripción MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 7.5 A (Tc) 150 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos STx9NK80Z
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 3.75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 84nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-5133-5

19:30:10 10/18/2018