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STP80N6F6 Canal N Orificio pasante 60V 110 A (Tc) 120 W (Tc) TO-220
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.90000 $1.90
50 1.53700 $76.85
100 1.35600 $135.60
500 1.07160 $535.80
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13976-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP80N6F6

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Descripción MOSFET N-CH 60V TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 110 A (Tc) 120 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos STP80N6F6
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.8 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7480pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 120 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13976-5
STP80N6F6-ND

04:14:50 12/19/2018