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STP75NS04Z Canal N Orificio pasante 33V 80 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.35000 $2.35
50 1.92420 $96.21
100 1.74430 $174.43
500 1.38428 $692.14
1,000 1.16829 $1,168.29
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-5981-5-ND
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Cantidad disponible 993
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP75NS04Z

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Descripción MOSFET N-CH 33V 80A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 33V 80 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MESH OVERLAY™ III
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 33V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11 mOhm a 40 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1860pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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17:53:15 11/14/2018