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50 5.37260 $268.63
100 4.92910 $492.91
500 4.06426 $2,032.13
1,000 3.48768 $3,487.68
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-14717-5-ND
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Cantidad disponible 794
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP315N10F7

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Descripción MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 37 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 180 A (Tc) 315W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos STP315N10F7
Módulos de capacitación sobre el producto Low Voltage Power MOSFETs
STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STP315N10F7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.7mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 315W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
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01:16:57 4/24/2019