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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-11230-5-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP260N6F6

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Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO220
Copiar   MOSFET N-CH 60V 120A TO220
Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 120 A (Tc) 300 W (Tc) TO-220

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Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima Estado de la tarifa arancelaria
IRFB3206PBF-ND IRFB3206PBF Infineon Technologies Tubo ? 6,530 - Inmediata
$2.47000 1 Tarifa arancelaria aplicada ?
Documentos y medios
Hojas de datos STI260N6F6, STP260N6F6
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Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs
Modelos de simulación STP260N6F6 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 60 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 183nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-11230-5

07:12:28 12/13/2018