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STP25NM60ND Canal N Orificio pasante 600V 21 A (Tc) 160 W (Tc) TO-220AB
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-8446-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP25NM60ND

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Descripción MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 21 A (Tc) 160 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie FDmesh™ II
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160 mOhm a 10.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 160 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-8446-5

09:47:40 10/21/2018