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STP25N60M2-EP Canal N Orificio pasante 600V 18 A (Tc) 150 W (Tc) TO-220
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.84000 $4.84
50 3.94420 $197.21
100 3.61860 $361.86
500 2.98368 $1,491.84
1,000 2.56040 $2,560.40
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15892-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP25N60M2-EP

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Descripción MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
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Plazo estándar del fabricante 37 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 18 A (Tc) 150 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos STP25N60M2-EP
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado 600 V MDmesh M2 EP MOSFETs
Modelos de simulación STP25N60M2-EP Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ M2-EP
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 188 mOhm a 9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.75 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1090pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • 497-14571-5-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-15892-5

10:13:44 12/16/2018