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STP20NM60 Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 192 W (Tc) TO-220AB
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50 5.19760 $259.88
100 4.73550 $473.55
500 3.83460 $1,917.30
1,000 3.23400 $3,234.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-3184-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP20NM60

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Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 37 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 192 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 290 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 54nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 192 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-3184-5

17:58:02 12/13/2018