Agregar a favoritos
STP18N60M2 Canal N Orificio pasante 600V 13 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.93000 $2.93
50 2.39600 $119.80
100 2.17200 $217.20
500 1.72374 $861.87
1,000 1.45478 $1,454.78
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13971-5-ND
Copiar   497-13971-5-ND
Cantidad disponible 99
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

STP18N60M2

Copiar   STP18N60M2
Descripción MOSFET N-CH 600V TO-220
Copiar   MOSFET N-CH 600V TO-220
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 13 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220

Copiar   Canal N Orificio pasante 600V 13 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220
Documentos y medios
Hojas de datos ST(B, P, W)18N60M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
Modelos de simulación STP18N60M2 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 6.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 791pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
También le puede interesar
  • SI2325DS-T1-E3 - Vishay Siliconix | SI2325DS-T1-E3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI2325DS-T1-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
  • Precio unitario $1.15000
  • SI2325DS-T1-E3CT-ND
  • IRF9530NSTRLPBF - Infineon Technologies | IRF9530NSTRLPBFCT-ND DigiKey Electronics
  • IRF9530NSTRLPBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
  • Precio unitario $1.46000
  • IRF9530NSTRLPBFCT-ND
  • SI7149ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI7149ADP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7149ADP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
  • Precio unitario $1.04000
  • SI7149ADP-T1-GE3CT-ND
  • DMN2990UFZ-7B - Diodes Incorporated | DMN2990UFZ-7BDICT-ND DigiKey Electronics
  • DMN2990UFZ-7B
  • Diodes Incorporated
  • MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606
  • Precio unitario $0.62000
  • DMN2990UFZ-7BDICT-ND
  • IPW60R099C7XKSA1 - Infineon Technologies | IPW60R099C7XKSA1-ND DigiKey Electronics
  • IPW60R099C7XKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
  • Precio unitario $7.04000
  • IPW60R099C7XKSA1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13971-5
STP18N60M2-ND

11:09:38 12/18/2018