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STP16NK65Z Canal N Orificio pasante 650V 13 A (Tc) 190 W (Tc) TO-220AB
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-4119-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP16NK65Z

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Descripción MOSFET N-CH 650V 13A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 13 A (Tc) 190 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos STP16NK65Z(-S)
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 500 mOhm a 6.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 89nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2750pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-4119-5

04:55:30 10/23/2018