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STP15N60M2-EP Canal N Orificio pasante 600V 11 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15891-5-ND
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Cantidad disponible 483
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP15N60M2-EP

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Descripción MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB
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Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 11 A (Tc) 110 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos STP15N60M2-EP
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado 600 V MDmesh M2 EP MOSFETs
Modelos de simulación STP15N60M2-EP Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ M2-EP
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 378 mOhm a 5.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 590pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-15891-5
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.71000 $2.71
50 2.18220 $109.11
100 1.96390 $196.39
500 1.52748 $763.74
1,000 1.26563 $1,265.63
Tarifa arancelaria pendiente ?

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10:14:10 9/23/2018