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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15553-5-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STP100N8F6

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Descripción MOSFET N-CH 80V 100A TO220
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Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 80V 100 A (Tc) 176 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos STP100N8F6
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STP100N8F6 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie STripFET™ F6
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5955pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 176 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Otros nombres 497-15553-5

17:02:43 10/20/2018