Agregar a favoritos
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.99000 $1.99
50 1.60880 $80.44
100 1.44790 $144.79
500 1.12612 $563.06
1,000 0.93308 $933.08
Tarifa aduanera elegible ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15888-5-ND
Copiar   497-15888-5-ND
Cantidad disponible 2,059
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

STP100N6F7

Copiar   STP100N6F7
Descripción MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
Copiar   MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 100 A (Tc) 125 W (Tc) TO-220

Copiar   Canal N Orificio pasante 60V 100 A (Tc) 125 W (Tc) TO-220
Documentos y medios
Hojas de datos STP100N6F7
Modelos de simulación STP100N6F7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie STripFET™ F7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.6 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1980pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
También le puede interesar
  • STP130N6F7 - STMicroelectronics | 497-15889-5-ND DigiKey Electronics
  • STP130N6F7
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
  • Precio unitario $1.98000
  • 497-15889-5-ND
  • DMT6010SCT - Diodes Incorporated | DMT6010SCTDI-5-ND DigiKey Electronics
  • DMT6010SCT
  • Diodes Incorporated
  • MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
  • Precio unitario $1.54000
  • DMT6010SCTDI-5-ND
  • TK4R3E06PL,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage | TK4R3E06PLS1X-ND DigiKey Electronics
  • TK4R3E06PL,S1X
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Precio unitario $2.18000
  • TK4R3E06PLS1X-ND
  • LM5114BMF/NOPB - Texas Instruments | LM5114BMF/NOPBCT-ND DigiKey Electronics
  • LM5114BMF/NOPB
  • Texas Instruments
  • IC MOSFET GATE DVR 7.6A SOT23-6
  • Precio unitario $1.60000
  • LM5114BMF/NOPBCT-ND
  • TK58E06N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage | TK58E06N1S1X-ND DigiKey Electronics
  • TK58E06N1,S1X
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N CH 60V 58A TO-220
  • Precio unitario $1.48000
  • TK58E06N1S1X-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-15888-5

14:24:42 11/16/2018