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STN1HNK60 Canal N Montaje en superficie 600V 400mA (Tc) 3.3W (Tc) SOT-223
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1 1.05000 $1.05
10 0.93400 $9.34
100 0.74850 $74.85
500 0.59158 $295.79
1,000 0.47741 $477.41
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-4668-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STN1HNK60

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Descripción MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 400mA (Tc) 3.3W (Tc) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos STx1(H)NK60(-1,R)
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 400mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 156pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.3W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con
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21:23:48 4/20/2019