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STI33N65M2 Canal N Orificio pasante 650V 24 A (Tc) 190 W (Tc) I2PAK
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1 3.85000 $3.85
50 3.14480 $157.24
100 2.88510 $288.51
500 2.37888 $1,189.44
1,000 2.04140 $2,041.40
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15551-5-ND
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Cantidad disponible 720
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STI33N65M2

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Descripción MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
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Plazo estándar del fabricante 37 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 24 A (Tc) 190 W (Tc) I2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos STx33N65M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STI33N65M2 Spice Model
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 140 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1790pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-15551-5

06:14:20 12/18/2018