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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15016-5-ND
Cantidad disponible 987
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STI33N60M2

Descripción MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 26 A (Tc) 190 W (Tc) I2PAK (TO-262)

Documentos y medios
Hojas de datos STx33N60M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1781pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 13 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-15016-5

01:43:13 2/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.46000 $5.46
10 4.87900 $48.79
100 4.00040 $400.04
500 3.23932 $1,619.66
1,000 2.73196 $2,731.96

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