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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13775-5-ND
Cantidad disponible 142
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STI24N60M2

Descripción MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 18 A (Tc) 150 W (Tc) I2PAK

Documentos y medios
Hojas de datos STx24N60M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1060pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 9 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13775-5

02:23:43 2/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.86000 $3.86
10 3.44900 $34.49
100 2.82780 $282.78
500 2.28980 $1,144.90
1,000 1.93116 $1,931.16

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