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  • Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-11327-5-ND
Cantidad disponible 940
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STI16N65M5

Descripción MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 12 A (Tc) 90 W (Tc) I2PAK

Documentos y medios
Hojas de datos STx16N65M5
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1250pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 90 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 279 mOhm a 6 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-11327-5

03:59:46 2/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.07000 $4.07
10 3.63000 $36.30
100 2.97660 $297.66
500 2.41032 $1,205.16

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