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STI11NM80 Canal N Orificio pasante 800V 11 A (Tc) 150 W (Tc) I2PAK (TO-262)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13106-5-ND
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Número de pieza del fabricante

STI11NM80

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Descripción MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 11 A (Tc) 150 W (Tc) I2PAK (TO-262)

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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 400 mOhm a 5.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43.6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1630pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -65 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Producto asociado
  • STRVS280X02F - STMicroelectronics | 497-13729-3-ND DigiKey Electronics
  • STRVS280X02F
  • STMicroelectronics
  • TVS DIODE 188V 280V DO201
  • Precio unitario $0.42828
  • 497-13729-3-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13106-5

07:27:37 12/17/2018