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  • Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12256-ND
Cantidad disponible 950
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STI10N62K3

Descripción MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 620V 8.4 A (Tc) 125 W (Tc) I2PAK

Documentos y medios
Hojas de datos STx(x)10N62K3
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH3™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 620V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 750 mOhm a 4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1250pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-12256

03:21:56 8/16/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.50000 $2.50
10 2.25700 $22.57
100 1.81380 $181.38
500 1.41076 $705.38

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