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STH3N150-2 Canal N Montaje en superficie 1500V 2.5 A (Tc) 140W (Tc) H²PAK
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.26000 $4.26
10 3.82900 $38.29
25 3.62040 $90.51
100 2.89620 $289.62
250 2.73532 $683.83
500 2.57440 $1,287.20
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 497-13876-2-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $2.20433
  • Digi-Reel®  : 497-13876-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,144 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

STH3N150-2

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-13876-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante STH3N150-2
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Descripción MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 1500V 2.5 A (Tc) 140W (Tc) H²PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos STx3N150
Hoja de datos de HTML STx3N150
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie PowerMESH™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9Ohm a 1.3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 939pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 140W (Tc)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor H²PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, variante D²Pak (2 conductores + lengüeta)
Número de pieza base STH3N
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 497-13876-1