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  • Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13598-5-ND
Cantidad disponible 494
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STFI24N60M2

Descripción MOSFET N CH 600V 18A TO281
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 18 A (Tc) 30 W (Tc) I2PAKFP (TO-281)

Documentos y medios
Hojas de datos STF(I, W)24N60M2
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Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1060pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 9 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAKFP (TO-281)
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3 conductores formados, I²Pak
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13598-5

16:41:22 2/17/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.86000 $2.86
10 2.58700 $25.87
100 2.07900 $207.90

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