Agregar a favoritos
STF9HN65M2 Canal N Orificio pasante 650V 5.5 A (Tc) 20 W (Tc) TO-220FP
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.37000 $1.37
50 1.09340 $54.67
100 0.95670 $95.67
500 0.74196 $370.98
1,000 0.58575 $585.75

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-16014-5-ND
Copiar   497-16014-5-ND
Cantidad disponible 421
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

STF9HN65M2

Copiar   STF9HN65M2
Descripción MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP
Copiar   MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 5.5 A (Tc) 20 W (Tc) TO-220FP

Copiar   Canal N Orificio pasante 650V 5.5 A (Tc) 20 W (Tc) TO-220FP
Documentos y medios
Hojas de datos STF9HN65M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 820 mOhm a 2.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 325pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 20 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
También le puede interesar
  • IPA65R1K0CEXKSA1 - Infineon Technologies | IPA65R1K0CEXKSA1-ND DigiKey Electronics
  • IPA65R1K0CEXKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V TO220-3
  • Precio unitario $1.15000
  • IPA65R1K0CEXKSA1-ND
  • STF10N60DM2 - STMicroelectronics | 497-16959-ND DigiKey Electronics
  • STF10N60DM2
  • STMicroelectronics
  • N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  • Precio unitario $1.84000
  • 497-16959-ND
  • STF11N60DM2 - STMicroelectronics | 497-16960-ND DigiKey Electronics
  • STF11N60DM2
  • STMicroelectronics
  • N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  • Precio unitario $1.80000
  • 497-16960-ND
  • STF10N60M2 - STMicroelectronics | 497-13945-5-ND DigiKey Electronics
  • STF10N60M2
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V TO-220FP
  • Precio unitario $1.89000
  • 497-13945-5-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-16014-5

23:18:22 10/19/2018