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STF80N10F7 Canal N Orificio pasante 100V 40 A (Tc) 30 W (Tc) TO-220FP
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.87000 $2.87
50 2.34620 $117.31
100 2.12670 $212.67
500 1.68778 $843.89
1,000 1.42443 $1,424.43
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-14832-5-ND
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Cantidad disponible 1,014
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STF80N10F7

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Descripción MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP
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Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 40 A (Tc) 30 W (Tc) TO-220FP

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Documentos y medios
Hojas de datos STx80N10F7,STH80N10F7-2
Módulos de capacitación sobre el producto Low Voltage Power MOSFETs
STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10 mOhm a 40 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3100pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-14832-5
STF80N10F7-ND

21:10:56 12/16/2018