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STF3NK80Z Canal N Orificio pasante 800V 2.5 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP
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1 1.77000 $1.77
50 1.43160 $71.58
100 1.26310 $126.31
500 0.99818 $499.09
1,000 0.80555 $805.55
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-4342-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STF3NK80Z

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Descripción MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
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Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 2.5 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 Ohm a 1.25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 485pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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05:28:52 11/22/2018