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STF25N10F7 Canal N Orificio pasante 100V 19 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-14553-5-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STF25N10F7

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Descripción MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FP
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Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 19 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP

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Documentos y medios
Hojas de datos STx25N10F7
Módulos de capacitación sobre el producto Low Voltage Power MOSFETs
STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STF25N10F7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 35 mOhm a 12.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 920pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-14553-5
STF25N10F7-ND

04:59:12 12/10/2018