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STF18N65M2 Canal N Orificio pasante 650V 12 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15533-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STF18N65M2

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Descripción MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
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Plazo estándar del fabricante 37 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 12 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP

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Documentos y medios
Hojas de datos STF18N65M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STF18N65M2 Spice Model
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 330 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 770pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
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