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STF16N65M2 Canal N Orificio pasante 650V 11 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP
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1 2.90000 $2.90
50 2.33760 $116.88
100 2.10380 $210.38
500 1.63626 $818.13
1,000 1.35575 $1,355.75

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15269-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STF16N65M2

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Descripción MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 11 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP

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Documentos y medios
Hojas de datos STF16N65M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STF16N65M2 Spice Model
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 360 mOhm a 5.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 718pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-15269-5

05:47:49 12/11/2018