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STF12N65M5 Canal N Orificio pasante 650V 8.5 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-10569-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STF12N65M5

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Descripción MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 8.5 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220FP

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 430 mOhm a 4.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 900pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-5, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-10569-5

14:45:04 10/22/2018