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STF12N50M2 Canal N Orificio pasante 500V 10 A (Tc) 85 W (Tc) TO-220FP
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.73000 $2.73
50 2.20000 $110.00
100 1.98000 $198.00
500 1.54000 $770.00
1,000 1.27600 $1,276.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15268-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STF12N50M2

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Descripción MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 10 A (Tc) 85 W (Tc) TO-220FP

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Documentos y medios
Hojas de datos STF12N50M2
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STF12N50M2 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 560pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 85 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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11:03:03 12/15/2018