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STD70N10F4 Canal N Montaje en superficie 100V 60 A (Tc) 125W (Tc) DPAK
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.61000 $1.61
10 1.43800 $14.38
25 1.36440 $34.11
100 1.02330 $102.33
500 0.86740 $433.70
1,000 0.70659 $706.59
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 497-8806-2-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.69684
  • Digi-Reel®  : 497-8806-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,338 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

STD70N10F4

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-8806-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante STD70N10F4
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Descripción MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 60 A (Tc) 125W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie DeepGATE™, STripFET™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 19.5mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 85nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de pieza base STD70N
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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