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STD70N10F4 Canal N Montaje en superficie 100V 60 A (Tc) 125 W (Tc) DPAK
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1 1.81000 $1.81
10 1.64100 $16.41
100 1.33770 $133.77
500 1.06156 $530.78
1,000 0.89592 $895.92
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-8806-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STD70N10F4

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Descripción MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 60 A (Tc) 125 W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie DeepGATE™, STripFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 19.5 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 85nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 497-8806-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 10 - Inmediata
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01:06:25 12/13/2018