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STD4NK100Z Canal N Montaje en superficie 1000V 2.2 A (Tc) 90W (Tc) DPAK
Precio y compra
1,916 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.75000 $1.75
10 1.56900 $15.69
25 1.48000 $37.00
100 1.15440 $115.44
500 0.97680 $488.40
1,000 0.82880 $828.80
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 497-16035-2-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.81696
  • Digi-Reel®  : 497-16035-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,916 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

STD4NK100Z

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-16035-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante STD4NK100Z
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Descripción MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 1000V 2.2 A (Tc) 90W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos STD4NK100Z
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.8Ohm a 1.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 601pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de pieza base STD4N
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 497-16035-1