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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12557-5-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STD3NK80Z-1

Descripción MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 2.5 A (Tc) 70 W (Tc) I-Pak

Documentos y medios
Hojas de datos STx3NK80Z(-1)
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 485pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 70 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 Ohm a 1.25 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Producto asociado
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1

03:26:22 2/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
3,000 0.77963 $2,338.88

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