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STD3NK80Z-1 Canal N Orificio pasante 800V 2.5 A (Tc) 70W (Tc) I-PAK
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.55000 $1.55
10 1.39100 $13.91
25 1.31240 $32.81
100 1.02380 $102.38
500 0.86626 $433.13
1,000 0.73500 $735.00
2,500 0.72450 $1,811.25
5,000 0.67200 $3,360.00
9,000 0.64575 $5,811.75
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STD3NK80Z-1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-12557-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante STD3NK80Z-1
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Descripción MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 2.5 A (Tc) 70W (Tc) I-PAK

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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.5Ohm a 1.25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 485pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
Número de pieza base STD3N
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 75
Otros nombres 497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1