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STD2HNK60Z-1 Canal N Orificio pasante 600V 2 A (Tc) 45 W (Tc) I-PAK
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1 1.37000 $1.37
75 1.09960 $82.47
150 0.96213 $144.32
525 0.74613 $391.72
1,050 0.58905 $618.50
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12783-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STD2HNK60Z-1

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Descripción MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 2 A (Tc) 45 W (Tc) I-PAK

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 Ohm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 280pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1

16:12:38 3/19/2019