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STD2HNK60Z-1 Canal N Orificio pasante 600V 2 A (Tc) 45 W (Tc) I-PAK
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12783-5-ND
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Cantidad disponible 6,043
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STD2HNK60Z-1

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Descripción MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 2 A (Tc) 45 W (Tc) I-PAK

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 Ohm a 1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 280pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-12783-5
STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.44000 $1.44
75 1.14960 $86.22
150 1.00587 $150.88
525 0.78004 $409.52
1,050 0.61583 $646.62
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03:48:17 9/23/2018